首页
热卖型号
产品关注
各类应用
关于我们
联系我们
当前位置：
首页
>>
三星半导体
> >
K4F6E3S4HM-GFCL
K4F6E3S4HM-GFCL
制造：
三星半导体
类别：
低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
规格：
SAMSUNG DRAM NAND
200FBGA
K4F6E3S4HM-GFCL技术资料下载
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
三星芯片型号：K4F6E3S4HM-GFCL
制造商：SAMSUNG（三星半导体）
功能类别：低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
容量：16Gb
架构：x32
速率：3733 Mbps
工作电压：1.8 / 1.1 / 1.1 V
工作温度：-40 ~ 95 °C
封装：200FBGA
产品状态：批量生产
K4F6E3S4HM-GFCL | 三星半导体代理全新原装现货
三星半导体主要产品：
More...
闪存解决方案
智能IC卡技术
图形内存
电脑DRAM
移动存储器
电源管理IC
显示解决方案
消费DRAM
三星半导体产品主要用途：
More...
数字/智能电视，机顶盒
三星移动DRAM
数码/摄像机
桌面计算机
多芯片封装
服务器
功能手机
CMOS图像传感器
以下产品与K4F6E3S4HM-GFCL或许具有相似功能：
CIH03Q1N2SNC
三星半导体
SI-B8U16256001
三星半导体
SPHWW1HDNA25YHU31E
三星半导体
RC1608F3923CS
三星半导体
CL21C820JBANNNL
三星半导体
CIGT2016R6MH100MNE
三星半导体
RC1005J131CS
三星半导体
SPHWHAHDND27YZV3D3
三星半导体
CL21B181KBANNNC
三星半导体
CL21B684KOFNFNE
三星半导体
SPHWH2L3D30ED4VPH3
三星半导体
CL10C101JB8NNNL
三星半导体
CL21B103KBCNNNC
三星半导体
CIL10J1R0KNC
三星半导体
SPHWHAHDNA25YZV2D1
三星半导体
K4P4G324EB-AGC2
三星半导体
CL10C680GB8NNNC
三星半导体
KLMBG8EEHM-B101
三星半导体
M393AAG40M32-CYF
三星半导体
CIC10P600NC
三星半导体
专业代理销售各大IC品牌电子元器件 - 承诺原装 - 最快当天发货 - 无起订量限制
|
Silicon Labs
|
Invensense
|
Bridgetek
|
Silicon Image
|
Sharp
|
