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    K4F8E3S4HB-MHCJ
    K4F8E3S4HB-MHCJ-三星半导体代理全新原装现货
    制造：三星半导体
    类别：低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
    规格：SAMSUNG DRAM NAND
    200FBGA
    K4F8E3S4HB-MHCJ技术资料下载
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    市场上提供K4F8E3S4HB-MHCJ原装现货的三星半导体代理商之一
    基本功能
  • 三星芯片型号：K4F8E3S4HB-MHCJ
  • 制造商：SAMSUNG（三星半导体）
  • 功能类别：低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
  • 容量：8Gb
  • 架构：x32
  • 速率：3733 Mbps
  • 工作电压：1.8 / 1.1 / 1.1 V
  • 工作温度：-40 ~ 105 °C
  • 封装：200FBGA
  • 产品状态：批量生产
  • K4F8E3S4HB-MHCJ | 三星半导体代理全新原装现货
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