类别:低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
规格:SAMSUNG DRAM NAND
200FBGA
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基本功能
三星芯片型号:K4FBE3D4HM-MGCJ制造商:SAMSUNG(三星半导体)功能类别:低功耗双倍数据率同步动态随机存储器容量:32Gb架构:x32速率:3733 Mbps工作电压:1.8 / 1.1 / 1.1 V工作温度:-25 ~ 85 °C封装:200FBGA产品状态:批量生产K4FBE3D4HM-MGCJ | 三星半导体代理全新原装现货
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