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K4M563233G-HN75
K4M563233G-HN75
制造：
三星半导体
类别：
DRAM存储器IC
规格：
0
出厂封装
K4M563233G-HN75技术资料下载
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基本功能
三星半导体完整型号：K4M563233G-HN75
存储器结构：8Mx32
速度：7|5.4ns
电源电压：3V
包装：FBGA
环保标准：
K4M563233G-HN75 | 三星半导体代理全新原装现货
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