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三星半导体
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K4T51163QG-HCE6000
K4T51163QG-HCE6000
制造：
三星半导体
类别：
DRAM存储器IC
规格：
0
出厂封装
K4T51163QG-HCE6000技术资料下载
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基本功能
三星半导体完整型号：K4T51163QG-HCE6000
存储器结构：32Mx16
速度：0.45ns
电源电压：1.8V
包装：FBGA
环保标准：符合RoHS标准
K4T51163QG-HCE6000 | 三星半导体代理全新原装现货
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