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K4T51163QN-BI
K4T51163QN-BI
制造：
三星半导体
类别：
双倍数据率同步动态随机存储器
规格：
SAMSUNG DRAM NAND
84FBGA
K4T51163QN-BI技术资料下载
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基本功能
三星芯片型号：K4T51163QN-BI
制造商：SAMSUNG（三星半导体）
功能类别：双倍数据率同步动态随机存储器
容量：512Mb
架构：32M x 16
速率：1066 Mbps
工作电压：1.8 V
工作温度：-40 ~ 95 °C
封装：84FBGA
产品状态：批量生产
K4T51163QN-BI | 三星半导体代理全新原装现货
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