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三星半导体
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K6R4016V1D-TC08
K6R4016V1D-TC08
制造:
三星半导体
类别:
SRAM存储器IC
规格:
0
出厂封装
K6R4016V1D-TC08技术资料下载
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基本功能
三星半导体完整型号:K6R4016V1D-TC08
存储器结构:40M×16
速度:8ns
电源电压:5V
包装:TSOP
环保标准:
K6R4016V1D-TC08 | 三星半导体代理全新原装现货
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移动存储器
电源管理IC
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闪存解决方案
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