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三星半导体
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K6T1008C2E-GL70
K6T1008C2E-GL70
制造:
三星半导体
类别:
SRAM存储器IC
规格:
0
出厂封装
K6T1008C2E-GL70技术资料下载
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基本功能
三星半导体完整型号:K6T1008C2E-GL70
存储器结构:1M×8
速度:70ns
电源电压:5V
包装:SOP
环保标准:不符合RoHS标准
K6T1008C2E-GL70 | 三星半导体代理全新原装现货
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