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三星半导体
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K6T1008V2E-GB70
K6T1008V2E-GB70
制造：
三星半导体
类别：
SRAM存储器IC
规格：
0
出厂封装
K6T1008V2E-GB70技术资料下载
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基本功能
三星半导体完整型号：K6T1008V2E-GB70
存储器结构：1M×8
速度：70ns
电源电压：3.3V
包装：SOP
环保标准：
K6T1008V2E-GB70 | 三星半导体代理全新原装现货
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