类别:嵌入式存储器
规格:SAMSUNG DRAM NAND
11.5 x 13 x 1.2 mm
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基本功能
三星芯片型号:KLUDG8J1ZD-B0CQ制造商:SAMSUNG(三星半导体)功能类别:嵌入式存储器版本:UFS 2.1容量:128GB工作电压:1.8/3.3 V接口:G3 2Lane封装尺寸:11.5 x 13 x 1.2 mm工作温度:-40 ~ 105 °C产品状态:样品KLUDG8J1ZD-B0CQ | 三星半导体代理全新原装现货
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