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    KMFE10012M-B214
    KMFE10012M-B214-三星半导体代理全新原装现货
    制造：三星半导体
    类别：多制层封装芯片
    规格：SAMSUNG DRAM NAND
    221FBGA
    KMFE10012M-B214技术资料下载
    欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
    市场上提供KMFE10012M-B214原装现货的三星半导体代理商之一
    基本功能
  • 三星芯片型号：KMFE10012M-B214
  • 制造商：SAMSUNG（三星半导体）
  • 功能类别：多制层封装芯片
  • eStorage 密度：16 GB
  • eStorage 版本：嵌入式多媒体卡 5.1
  • DRAM 密度：8 Gb
  • DRAM 类型：三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
  • 封装：221FBGA
  • 速率：1866 Mbps
  • 产品状态：批量生产
  • KMFE10012M-B214 | 三星半导体代理全新原装现货
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