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KMFN60012M-B214
KMFN60012M-B214
制造：
三星半导体
类别：
多制层封装芯片
规格：
SAMSUNG DRAM NAND
221FBGA
KMFN60012M-B214技术资料下载
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
三星芯片型号：KMFN60012M-B214
制造商：SAMSUNG（三星半导体）
功能类别：多制层封装芯片
eStorage 密度：8 GB
eStorage 版本：嵌入式多媒体卡 5.1
DRAM 密度：8 Gb
DRAM 类型：三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
封装：221FBGA
速率：1866 Mbps
产品状态：批量生产
KMFN60012M-B214 | 三星半导体代理全新原装现货
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