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三星半导体
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M474A1G43EB1-CPB
M474A1G43EB1-CPB
制造：
三星半导体
类别：
模块
规格：
SAMSUNG DRAM NAND
8GB
M474A1G43EB1-CPB技术资料下载
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基本功能
三星模块型号：M474A1G43EB1-CPB
制造商：SAMSUNG（三星半导体）
功能类别：模块
DDR：四代双倍数据率同步动态随机存储器
DIMM 类型：ECC SODIMM
容量：8GB
内存区块组织：2R x 8
速率：2133 Mbps
工作电压：1.2 V
组件成分：(512M x 8) x 18
M474A1G43EB1-CPB | 三星半导体代理全新原装现货
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