类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
封装:TO-263-4,D2Pak(3 引线 + 接片),TO-263AA
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基本功能
制造商产品型号:STGB30H65DFB2制造商:STMicroelectronics描述:TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:HB2零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):650V电流-集电极(Ic)(最大值):50A电流-集电极脉冲(Icm):90A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,30A功率-最大值:167W开关能量:270μJ(开),310μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:90nC25°C时Td(开/关)值:18.4ns/71ns测试条件:400V,30A,6.8 欧姆,15V反向恢复时间(trr):115ns工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:TO-263-4,D2Pak(3 引线 + 接片),TO-263AASTGB30H65DFB2 | ST代理全新原装现货
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