类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:IGBT 420V 25A 125W DPAK
封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
制造商产品型号:STGD18N40LZT4制造商:STMicroelectronics描述:IGBT 420V 25A 125W DPAK系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:Automotive, AEC-Q101, PowerMESH?零件状态:有源IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):420V电流-集电极(Ic)(最大值):25A电流-集电极脉冲(Icm):40A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.7V @ 4.5V,10A功率-最大值:125W开关能量:-输入类型:逻辑栅极电荷:29nC25°C时Td(开/关)值:650ns/13.5μs测试条件:300V,10A,5V反向恢复时间(trr):-工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63STGD18N40LZT4 | ST代理全新原装现货
以下产品与STGD18N40LZT4或许具有相似功能:
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST