类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
规格：SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
封装：8-PowerTDFN
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基本功能
制造商产品型号：CSD86336Q3DT制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）描述：SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：2 个 N 通道（半桥）FET功能：逻辑电平栅极，5V 驱动漏源电压（Vdss）：25V25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Ta）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.1 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 250μA，1.6V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.8nC @ 45V，7.4nC @ 45V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：494pF @ 12.5V，970pF @ 12.5V功率-最大值：6W工作温度：-55°C ~ 125°C安装类型：表面贴装型封装：8-PowerTDFNCSD86336Q3DT | TI代理全新原装现货以下产品与CSD86336Q3DT或许具有相似功能：
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