类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
器件封装:D2PAK
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基本功能
制造商产品型号:SIHB12N60E-GE3制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):600V25°C时电流-连续漏极(Id):12A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):380 毫欧 @ 6A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):58nC @ 10VVgs(最大值):±30V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):937pF @ 100VFET功能:-功率耗散(最大值):147W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:D2PAKSIHB12N60E-GE3 | Vishay代理全新原装现货
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