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    SIRA10DP-T1-GE3
    SIRA10DP-T1-GE3-Vishay代理全新原装现货
    制造：威世（Vishay）
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
    器件封装：PowerPAK? SO-8
    SIRA10DP-T1-GE3技术资料下载
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    市场上提供SIRA10DP-T1-GE3原装现货的威世代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：SIRA10DP-T1-GE3
  • 制造商：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：TrenchFET?
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：60A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.7 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：51nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：+20V，-16V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2425pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：5W（Ta），40W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PowerPAK? SO-8
  • SIRA10DP-T1-GE3 | Vishay代理全新原装现货
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