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    SISF02DN-T1-GE3
    SISF02DN-T1-GE3-Vishay代理全新原装现货
    制造：威世（Vishay）
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
    规格：MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
    封装：PowerPAK? 1212-8SCD
    SISF02DN-T1-GE3技术资料下载
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    市场上提供SISF02DN-T1-GE3原装现货的威世代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：SISF02DN-T1-GE3
  • 制造商：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：TrenchFET? Gen IV
  • 零件状态：有源
  • FET类型：2 N 沟道（双）共漏
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：25V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：30.5A（Ta），60A（Tc）
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.5 毫欧 @ 7A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：56nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2650pF @ 10V
  • 功率-最大值：5.2W（Ta），69.4W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：PowerPAK? 1212-8SCD
  • SISF02DN-T1-GE3 | Vishay代理全新原装现货
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