类别:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
规格:DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
封装:8-PowerWDFN
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基本功能
制造商产品型号:SIZF906BDT-T1-GE3制造商:Vishay Siliconix描述:DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:TrenchFET? Gen IV零件状态:有源FET类型:2 个 N 通道(双),肖特基FET功能:标准漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):36A(Ta),105A(Tc),63A(Ta),257A(Tc)不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2.1 毫欧 @ 15A,10V,680μ欧姆 @ 20A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):49nC @ 10V,165nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1630pF @ 15V,5550pF @ 15V功率-最大值:4.5W(Ta),38W(Tc),5W(Ta),83W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-PowerWDFNSIZF906BDT-T1-GE3 | Vishay代理全新原装现货
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