类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
规格：MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6
封装：8-PowerWDFN
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基本功能
制造商产品型号：SIZF918DT-T1-GE3制造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：TrenchFET? Gen IV零件状态：有源FET类型：2 个 N 通道（双），肖特基FET功能：标准漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：23A（Ta），40A（Tc），35A（Ta），60A（Tc）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4 毫欧 @ 10A，10V，1.9 毫欧 @ 10A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA，2.3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：22nC，56nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1060pF，2650pF @ 15V功率-最大值：3.4W（Ta），26.6W（Tc），3.7W（Ta），50W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerWDFNSIZF918DT-T1-GE3 | Vishay代理全新原装现货以下产品与SIZF918DT-T1-GE3或许具有相似功能：
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