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    SQJ960EP-T1-GE3
    SQJ960EP-T1-GE3-Vishay代理全新原装现货
    制造：威世（Vishay）
    类别：场效应管阵列
    规格：MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
    PowerPAK
    SQJ960EP-T1-GE3技术资料下载
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    市场上提供SQJ960EP-T1-GE3原装现货的威世代理商之一
    基本功能
  • Vishay威世半导体原厂型号：SQJ960EP-T1-GE3
  • 制造商：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
  • 系列：TrenchFET
  • FET 类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：36 毫欧 @ 5.3A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：735pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：34W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：PowerPAK SO-8 双
  • 供应商器件封装：PowerPAK SO-8 Dual
  • SQJ960EP-T1-GE3 | Vishay代理全新原装现货
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