类别:二极管 - 整流器 - 单
规格:SILICON CARBIDE POWER DIODE
封装:4-VDFN
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基本功能
制造商产品型号:WNSC08650T6J制造商:WeEn Semiconductors描述:SILICON CARBIDE POWER DIODE系列:二极管 - 整流器 - 单产品系列:-零件状态:有源二极管类型:碳化硅肖特基电压-DC反向(Vr)(最大值):650V电流-平均整流(Io):8A不同If时电压-正向(Vf):1.7V @ 8A速度:无恢复时间 > 500mA(Io)反向恢复时间(trr):0ns不同Vr时电流-反向泄漏:50μA @ 650V不同?Vr、F时电容:267pF @ 1V,1MHz安装类型:表面贴装型封装:4-VDFN供应商器件封装:5-DFN(8x8)WNSC08650T6J | WeEn代理全新原装现货
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