iDEAL公司SuperQ系列超结功率MOSFET采用先进电荷平衡结构，突破传统硅极限，实现更低导通电阻与栅极电荷。适用于高频开关电源、快充、服务器电源及光伏逆变器，兼具高耐压与低损耗，助力系统提升效率与功率密度。

iDEAL公司快恢复二极管（FRD）采用先进外延与寿命控制工艺，具备低反向恢复电荷、短恢复时间及软恢复特性，有效降低开关损耗与EMI。产品覆盖600V至1200V，适用于高频开关电源、逆变焊机、光伏逆变及新能源汽车等高效功率变换场景，为工程师提供高可靠选型方案。

iDEAL公司氮化镓功率器件（GaN HEMT）采用增强型硅基氮化镓工艺，具备低导通电阻、极低栅极电荷与零反向恢复电荷特性，支持高频高效开关。适用于快充、数据中心电源、车载充电及光伏微型逆变器，助力系统实现高功率密度与小型化设计。

iDEAL公司推出的屏蔽栅沟槽MOSFET（SGT）系列，采用先进电荷平衡与屏蔽栅结构，显著降低导通电阻与栅极电荷，兼具低开关损耗和高雪崩耐量。适用于同步整流、DC-DC转换、电机驱动及电池保护等高效功率场景，为高密度电源设计提供理想开关方案。

iDEAL中低压功率MOSFET覆盖30V至200V，采用先进沟槽与屏蔽栅工艺，兼具低导通电阻、低栅极电荷与优异开关特性。适用于同步整流、DC-DC转换、电机驱动及电池保护，为高效高密度电源设计提供可靠选型。

iDEAL公司同步整流MOSFET系列，采用先进沟槽与屏蔽栅工艺，具备超低导通电阻与快速开关特性，显著降低续流损耗，提升LLC、反激等拓扑效率。适用于适配器、快充、服务器电源及光伏微逆，助力高功率密度设计。

iDEAL公司汽车级功率MOSFET系列通过AEC-Q101认证，具备低导通电阻、高雪崩耐量与优异热稳定性，适用于车载DC-DC、电机驱动及电池管理。器件采用先进沟槽与屏蔽栅工艺，兼顾效率与可靠性，满足严苛车规环境，为汽车电子设计提供高性价比功率开关方案。

iDEAL公司高压功率MOSFET系列覆盖600V至800V耐压区间，采用先进超结与场截止技术，兼具低导通电阻与优异开关特性，适用于工业电源、光伏逆变、电机驱动及新能源充电等高效高可靠性场景。

iDEAL公司碳化硅肖特基二极管采用宽禁带半导体技术，具备零反向恢复电流、高耐压与优异热导率，适用于光伏逆变器、电动汽车充电桩及开关电源等高效功率转换场景，助力系统提升效率与功率密度。