类别:单端场效应管
规格:MOSFET N-CH 1000V 4A TO220SM
TO-220SM
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基本功能
东芝半导体公司完整型号:2SK1930(TE24L,Q)制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO220SM系列:-FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A(Ta)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.8 欧姆 @ 2A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):60nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):700pF @ 25V功率 - 最大值:100W安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商器件封装:TO-220SM2SK1930(TE24L,Q) | 东芝半导体代理全新原装现货
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