类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:IGBT 600V 10A 60W TO220SM
封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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基本功能
制造商产品型号:GT10J312(Q)制造商:Toshiba Semiconductor and Storage描述:IGBT 600V 10A 60W TO220SM系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:停产IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):10A电流-集电极脉冲(Icm):20A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,10A功率-最大值:60W开关能量:-输入类型:标准栅极电荷:-25°C时Td(开/关)值:400ns/400ns测试条件:300V,10A,100 欧姆,15V反向恢复时间(trr):200ns工作温度:150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63GT10J312(Q) | 东芝半导体代理全新原装现货
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