类别:单路IGBT
规格:IGBT 600V 30A 170W TO3PN
TO-3P
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基本功能
东芝半导体公司完整型号:GT30J324(Q)制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage描述:IGBT 600V 30A 170W TO3PN系列:-IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):600V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30ACurrent - Collector Pulsed (Icm):60A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.45V @ 15V,30A功率 - 最大值:170WSwitching Energy:1mJ (开), 800μJ (关)输入类型:标准Gate Charge:-25°C 时 Td(开/关)值:90ns/300nsTest Condition:300V, 30A, 24 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):60ns封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3P(N)GT30J324(Q) | 东芝半导体代理全新原装现货
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