类别:单路IGBT
规格:IGBT 900V 60A 170W TO3P LH
TO-3P
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基本功能
东芝半导体公司完整型号:GT60M303(Q)制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage描述:IGBT 900V 60A 170W TO3P LH系列:-IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):900V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60ACurrent - Collector Pulsed (Icm):120A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.7V @ 15V,60A功率 - 最大值:170WSwitching Energy:-输入类型:标准Gate Charge:-25°C 时 Td(开/关)值:460ns/600nsTest Condition:-反向恢复时间 (trr):2.5μs封装/外壳:TO-3PL安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3P(LH)GT60M303(Q) | 东芝半导体代理全新原装现货
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