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    GT60N321(Q)
    GT60N321(Q)-东芝半导体代理全新原装现货
    制造：东芝半导体
    类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
    规格：IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
    封装：TO-3PL
    GT60N321(Q)技术资料下载
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    市场上提供GT60N321(Q)原装现货的东芝半导体代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：GT60N321(Q)
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1000V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：60A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：120A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，60A
  • 功率-最大值：170W
  • 开关能量：-
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：-
  • 25°C时Td（开/关）值：330ns/700ns
  • 测试条件：-
  • 反向恢复时间(trr)：2.5μs
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-3PL
  • GT60N321(Q) | 东芝半导体代理全新原装现货
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