类别:晶体管 - 双极(BJT)- 射频
规格:RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
封装:3-SMD,扁平引线
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基本功能
制造商产品型号:MT3S111TU,LF制造商:Toshiba Semiconductor and Storage描述:RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N系列:晶体管 - 双极(BJT)- 射频零件状态:有源晶体管类型:NPN电压-集射极击穿(最大值):6V频率-跃迁:10GHz噪声系数(dB,不同f时的典型值):0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz增益:12.5dB功率-最大值:800mW不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):200 @ 30mA,5V电流-集电极(Ic)(最大值):100mA工作温度:150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:3-SMD,扁平引线MT3S111TU,LF | 东芝半导体代理全新原装现货
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