类别:单端场效应管
规格:MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM
VESM
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基本功能
东芝半导体公司完整型号:SSM3J56MFV,L3F(T制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM系列:-FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平栅极,1.2V 驱动漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):800mA(Ta)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):390毫欧 @ 800mA, 4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):100pF @ 10V功率 - 最大值:150mW安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723供应商器件封装:VESMSSM3J56MFV,L3F(T | 东芝半导体代理全新原装现货
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