类别:单端场效应管
规格:MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
ES6
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
东芝半导体公司完整型号:SSM6K211FE(TE85L,F制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6系列:-FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平栅极,1.5V 驱动漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.2A(Ta)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):47 毫欧 @ 2A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.8nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):510pF @ 10V功率 - 最大值:500mW安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563,SOT-666供应商器件封装:ES6(1.6x1.6)SSM6K211FE(TE85L,F | 东芝半导体代理全新原装现货
以下产品与SSM6K211FE(TE85L,F或许具有相似功能:
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体