类别:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
规格:MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
封装:SOT-563,SOT-666
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
制造商产品型号:SSM6L35FE,LM制造商:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:-零件状态:有源FET类型:N 和 P 沟道FET功能:逻辑电平门漏源电压(Vdss):20V25°C时电流-连续漏极(Id):180mA,100mA不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3 欧姆 @ 50mA,4V不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):-不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):9.5pF @ 3V功率-最大值:150mW工作温度:150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:SOT-563,SOT-666SSM6L35FE,LM | 东芝半导体代理全新原装现货
以下产品与SSM6L35FE,LM或许具有相似功能:
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体
东芝半导体