类别:场效应管阵列
规格:MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
ES6
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基本功能
东芝半导体公司完整型号:SSM6L35FE(TE85L,F)制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6系列:-FET 类型:N 和 P 沟道FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):180mA,100mA不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3 欧姆 @ 50mA,4V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):9.5pF @ 3V功率 - 最大值:150mW安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563,SOT-666供应商器件封装:ES6(1.6x1.6)SSM6L35FE(TE85L,F) | 东芝半导体代理全新原装现货
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