类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
器件封装：TO-3P（N）
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基本功能
制造商产品型号：TK9J90E,S1E制造商：Toshiba Semiconductor and Storage描述：MOSFET N-CH 900V 9A TO3P系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：900V25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.3 欧姆 @ 4.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 900μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：46nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2000pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：250W（Tc）工作温度：150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-3P（N）TK9J90E,S1E | 东芝半导体代理全新原装现货以下产品与TK9J90E,S1E或许具有相似功能：
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