类别:单端场效应管
规格:MOSFET P-CH 12V 5.5A VS6 2-3T1A
VS-6
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基本功能
东芝半导体公司完整型号:TPC6103(TE85L,F,M)制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET P-CH 12V 5.5A VS6 2-3T1A系列:-FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动漏源极电压 (Vdss):12V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5.5A(Ta)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):35 毫欧 @ 2.8A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 200μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1520pF @ 10V功率 - 最大值:-安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6供应商器件封装:VS-6(2.9x2.8)TPC6103(TE85L,F,M) | 东芝半导体代理全新原装现货
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