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    TPN1110ENH,L1Q
    TPN1110ENH,L1Q-东芝半导体代理全新原装现货
    制造：东芝半导体
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
    器件封装：8-TSON Advance（3.3x3.3）
    TPN1110ENH,L1Q技术资料下载
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    市场上提供TPN1110ENH,L1Q原装现货的东芝半导体代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：TPN1110ENH,L1Q
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：U-MOSVIII-H
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：7.2A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：114 毫欧 @ 3.6A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 200μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：600pF @ 100V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：700mW（Ta），39W（Tc）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-TSON Advance（3.3x3.3）
  • TPN1110ENH,L1Q | 东芝半导体代理全新原装现货
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