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    TPN4R712MD,L1Q
    TPN4R712MD,L1Q-东芝半导体代理全新原装现货
    制造：东芝半导体
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
    器件封装：8-TSON Advance（3.3x3.3）
    TPN4R712MD,L1Q技术资料下载
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    市场上提供TPN4R712MD,L1Q原装现货的东芝半导体代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：TPN4R712MD,L1Q
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：U-MOSVI
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：36A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.7 毫欧 @ 18A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：65nC @ 5V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4300pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：42W（Tc）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-TSON Advance（3.3x3.3）
  • TPN4R712MD,L1Q | 东芝半导体代理全新原装现货
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